【發布日期】: 2024/1/15

【新聞來源】:自由時報

〔記者楊媛婷／台北報導〕由清大研發長邱博文、中興大學物理系教授林彥甫、中興大學資工系教授吳俊霖、清大博士蔡孟宇組成團隊，成功研發雙模式二維電子元件，透過光可讓該元件自由切換記憶體與電晶體模式，突破傳統矽晶圓物理限制，製程更簡化5成以上，該研究於2023年9月發於國際期刊《自然電子》（Nature Electronics）。

↑　清大研發長邱博文（左起）、蔡孟宇博士、中興大學物理系教授林彥甫、中興大學資工系教授吳俊霖組成團隊，成功研發雙模式二維電子元件，透過光可讓該元件自由切換記憶體與電晶體模式，突破傳統矽晶圓物理限制。（記者楊媛婷攝）

在國科會「Å世代前瞻半導體專案計畫」及學門計畫支持下，清華大學及中興大學共同組成的研究團隊，領先全球成功研發雙模式二維電子元件，此元件最大關鍵突破在於透過光可切換「記憶體」和「電晶體」模式，大幅提升處理效率，也能避免過去記憶體跟電機體分別處理，因數據往返，常導致設備發熱等問題，邱博文比喻，這就像是學者們要在台北開會，大家都住在會場周圍，抵達會場時間將可更短、更有效率一樣。

邱博文表示，該元件首創利用「光」啟動，光照時可切換到「記憶體模式」，沒有光照射時，元件則保持在「電晶體模式」，就像是被「上鎖」一般，能夠維持穩定的開關運算功能，不過因為光有限制，導致元件大小有天花板，現階段正投入利用電子啟動，就可將該元件縮至2奈米一下，甚至比1奈米更小，也因效率更高，也會比現今2奈米製程表現更穩定。

林彥甫指出，該元件還有助於製程的簡化，比起現在的電子元件來說，製程可簡化50%以上；吳俊霖表示，該元件因有大量計算的潛力，未來有望運用於AI人工智慧；至於要商業化應用，邱博文評估，就以目前的半導體技術來說，要商轉至少還要10年以上，不過如果未來可以實際應用，將有望一舉突破半導體微縮化的瓶頸限制。